SHVP-02 P(N) 2kV单极性脉冲电源 技术白皮书
SHVP-02 P(N)是世纪新天SHVP系列小型化台式纳秒单极性高压脉冲电源,分为SHVP-02P正极性、SHVP-02N负极性两个版本,输出02kV连续可调纳秒方波,电压调节步进1V。
整机采用高速半导体开关拓扑,最快上升沿≤10ns,最高重复频率可达1MHz,占空比10%50%精细可调;内置波形整形电路,适配容性、阻性负载,电磁干扰低。设备体积小巧,参数可编程,集成多重硬件保护,适合低温等离子体、材料绝缘测试、微放电、细胞电刺激基础预研等科研场景,是低电压纳秒脉冲实验国产化优选方案。
SHVP-02 P(N) 2kV单极性脉冲电源 技术白皮书
版本:V1.0 发布单位:世纪新天(苏州)大数据科技有限公司 日期:2026年09月
摘要
SHVP-02 P(N)是世纪新天SHVP系列小型化台式纳秒单极性高压脉冲电源,分为SHVP-02P正极性、SHVP-02N负极性两个版本,输出02kV连续可调纳秒方波,电压调节步进1V。整机采用高速半导体开关拓扑,最快上升沿≤10ns,最高重复频率可达1MHz,占空比10%50%精细可调;内置波形整形电路,适配容性、阻性负载,电磁干扰低。设备体积小巧,参数可编程,集成多重硬件保护,适合低温等离子体、材料绝缘测试、微放电、细胞电刺激基础预研等科研场景,是低电压纳秒脉冲实验国产化优选方案。
关键词:SHVP-02P;SHVP-02N;2kV纳秒脉冲;单极性方波;高频纳秒脉冲;DBD等离子体;微放电实验
目录
- 概述
- 应用场景与行业痛点
- SHVP-02 P(N)产品介绍
- 核心技术架构
- 详细技术规格参数
- 典型系统搭建方案
- 典型波形特征与实验案例
- 控制、接口与上位机软件
- 安全规范与使用注意事项
- 应用领域
- 产品选型与定制扩展服务
- 总结 附录A:术语与缩略词 附录B:企业信息
1. 概述
SHVP-02 P(N)为一体化台式单极性纳秒高压脉冲发生器,SHVP-02P输出正高压脉冲,SHVP-02N输出负高压脉冲,输出电压02kV连续可调,最小调节步进1V。输出标准矩形方波,脉冲平顶宽度100ns1ms;上升沿最快≤10ns;重复频率1kHz1MHz,步进1kHz;占空比10%50%,步进1%。整机内置高压充电与储能单元,AC220V直接供电,无需外置高压模块;前面板实体按键+数码管显示,支持内部自触发、外部TTL触发,支持RS485上位机程控。支持Burst脉冲串模式,自定义一串脉冲数量与串间隔,适合高频纳秒脉冲批量扫描实验。
说明:本机为单极性输出;如需实现双极性交替脉冲,可采用一台SHVP-02P与一台SHVP-02N外部同步联动。
2. 应用场景与行业痛点
2.1 典型应用场景
微DBD介质阻挡放电、低温等离子体基础机理研究;薄膜、涂层、薄层绝缘材料纳秒脉冲击穿与老化测试;微间隙脉冲放电、电晕放电基础实验;低场纳秒脉冲细胞预实验;光谱激励、脉冲光源预研;高校脉冲功率教学实验平台搭建。
2.2 当前行业痛点
- 进口2kV高频纳秒脉冲设备价格昂贵,供货周期长,维修成本高;
- 分立搭建小型纳秒脉冲回路结构复杂,边沿指标差,波形振铃大,调试难度高;
- 微放电、小型DBD腔体属于容性负载,简易脉冲源波形畸变严重,易产生强烈电磁干扰,干扰示波器等测量设备;
- 很多国产脉冲源重频上限低,无法开展MHz级高频纳秒放电实验;
- 缺少完善硬件保护,微小样品击穿时极易损坏内部功率器件。
3. SHVP-02 P(N)产品介绍
SHVP-02P(正)/SHVP-02N(负)国产小型化2kV单极性纳秒脉冲电源,面向高校、企业低电压高频脉冲科研。 ✅ 核心特点
- 单极性选型:SHVP-02P正向脉冲,SHVP-02N负向脉冲,0~2kV连续可调,电压步进1V;
- 超快纳秒前沿:上升沿≤10ns,波形过冲<5%,内置抑制电路降低电磁辐射;
- 高频宽参数范围:重复频率1kHz
1MHz,占空比10%50%可调,支持Burst脉冲串; - 一体化小型台式整机,内置高压储能单元,AC220V直接供电,台面占用空间小;
- 全固态高速半导体开关,无火花隙,适合长时间高频连续稳定运行;
- 内置过压、过流、短路、过热硬件保护,负载击穿微秒级闭锁高压输出;
- 实体按键+数码管显示,操作简单;标配TTL外触发,标配RS485上位机程控;
- 内置容性负载波形整形网络,抑制长电缆带来的波形反射、振铃,适配小型DBD、薄膜样品等容性负载。
4. 核心技术架构
4.1 独立储能+高速半导体开关阵列
内置小型高压DC储能单元,高速功率开关控制储能电容快速放电;P/N版本硬件区分输出极性,输出电压闭环稳压,抑制负载波动带来电压漂移。
4.2 FPGA高精度时序控制单元
FPGA数字时序内核,精准控制脉冲脉宽、重复频率、Burst脉冲数量;支持内部自触发与外部TTL触发,触发抖动低,满足MHz高频时序稳定输出。
4.3 低EMI容性负载波形整形网络
集成阻抗匹配与脉冲滤波电路,针对小型DBD腔体、薄层绝缘介质等容性负载优化,抑制长电缆反射振荡,降低纳秒脉冲带来的电磁干扰,保护周边测量仪器。
4.4 高压采样与快速保护单元
实时采集输出高压、回路电流、模块温度;一旦检测短路、过流、超温,微秒级切断高压,面板同步故障告警。
4.5 光电隔离信号接口
外触发信号、通信接口与高压回路光电隔离,防止高压串入前端信号发生器、示波器,保护外围测量仪器。
5. 详细技术规格参数
| 项目 | 技术指标 |
|---|---|
| 型号 | SHVP-02P(正极性) / SHVP-02N(负极性) |
| 输出峰值电压 | 0 ~ 2 kV连续可调,步进1V |
| 输出波形 | 矩形方波 |
| 脉冲平顶宽度 | 100 ns ~ 1 ms |
| 上升/下降沿 | ≤10 ns |
| 脉冲过冲 | <5% |
| 重复频率 | 1kHz ~ 1MHz,步进1kHz |
| 占空比 | 10% ~ 50%,步进1% |
| 工作模式 | 单次、连续重频、Burst脉冲串 |
| 适配负载 | 阻性、容性负载(小型DBD放电腔、薄层绝缘薄膜、微间隙放电负载) |
| 触发方式 | 内部自触发 / 外部TTL BNC外触发 |
| 保护功能 | 过压、过流、短路、过热保护,故障告警+高压闭锁 |
| 本地操作 | 实体按键+数码管参数显示,高压就绪、故障指示灯 |
| 通信接口 | 标配TTL外触发,标配RS485程控接口 |
| 供电 | AC220V±10%,50Hz |
| 冷却方式 | 强制风冷 |
| 定制扩展 | 边沿优化、多机同步触发、脚踏启停、定制高压输出接头 |
备注:指标在标准50pF容性负载条件测得;长高压电缆、超大容性负载会劣化上升沿。本设备仅用于科研实验,不可直接用于人体临床医疗激励。
6. 典型系统搭建方案
6.1 整套系统组成
- SHVP-02 P(N) 2kV单极性脉冲电源主机
- 样品电极 / 小型DBD放电腔 / 薄膜样品夹具
- TTL信号发生器(外触发选配)
- ≥2kV高压差分探头
- 高带宽数字示波器
- 可选:罗氏线圈、上位机、安全门联锁、气体供气系统(等离子实验)
6.2 连接原理简述
主机接入AC220V,在面板设置输出电压、脉宽、重频、Burst参数;选择内部自触发或者外部TTL同步触发。高压输出接样品电极,输出单极性纳秒脉冲激励微DBD等离子体或者薄层绝缘样品;高压差分探头、罗氏线圈采集电压电流波形送入示波器观测。负载发生击穿短路时,设备自动闭锁高压,保护主机。
7. 典型波形特征与实验案例
7.1 典型波形特征
超快纳秒前沿方波,过冲低、振铃小,低电磁干扰;在小型容性DBD负载条件下保持稳定平顶;支持单次脉冲、连续高频脉冲、Burst脉冲串输出。
7.2 典型实验案例
- 微DBD介质阻挡放电、微间隙电晕放电机理研究;
- 薄层高分子绝缘薄膜纳秒脉冲击穿、老化特性测试;
- 低场纳秒脉冲细胞效应基础预实验;
- 等离子体表面清洗、材料表面活化小型预研;
- 高校高频纳秒脉冲功率教学实验平台搭建。
8. 控制、接口与上位机软件
- 本地控制面板:电源开关、高压启停按键;电压、脉宽、频率、占空比设置按键;数码管实时显示参数、高压就绪、故障告警指示灯。
- 信号接口:BNC TTL外部触发输入,可选BNC同步输出信号。
- 高压输出:SHV高压输出端子。
- 标配RS485上位机软件:电脑远程设置脉冲参数、读取设备状态,自动执行批量参数扫描,保存实验日志。
9. 安全规范与使用注意事项
⚠️ 设备最高输出2kV高压,严禁直接接入人体用于临床治疗,严格遵守高压实验室安全规范。
- 可靠接地:设备外壳保护地端子单独可靠接地,接地电阻≤4Ω;每次实验前检查接地,接地不良禁止开机。
- 人员资质:操作人员必须经过高压安全专项培训;推荐双人实验,配备监护人员。
- 环境防护:实验区域保持干燥,相对湿度<70%;台面铺设≥2kV绝缘垫,设置高压警示标识,加装防护挡板;等离子体实验做好通风,防范臭氧与紫外辐射。
- 个人防护:接线、更换样品、检修回路时佩戴2kV绝缘手套、防护面屏,接线单手操作。
- 开机前检查:高压电缆耐压≥2kV,外皮无破损;电极接线牢固,确认负载类型符合设备规格;上电前参数归零,低压预测试。
- 操作流程:上电自检无故障后,人员撤离高压样品区,缓慢升压;设备运行期间禁止触碰高压回路,禁止插拔SHV/BNC接头。
- 停机放电流程:电压归零→关闭高压→断电→静置等待,使用高压接地棒多次释放残压;确认无残压后,方可拆线、更换样品。高压线缆、电极会储存电荷,断电后仍存在残压。
- 故障处理:出现短路、过热告警,设备自动闭锁高压;禁止强行复位加压,排查负载绝缘、短路问题。
- 仪器安全:示波器、采集仪器可靠接地;高压探头耐压≥2kV;信号线与高压电缆分开走线,降低高频纳秒脉冲电磁耦合串扰。
- 设备维护:禁止非厂家人员开盖,内部储能电容带有高压,私自开盖将失去质保。
10. 应用领域
SHVP-02P/SHVP-02N 2kV单极性纳秒脉冲电源具备超快纳秒上升沿、MHz级高频输出、低电磁干扰、小型化的特点,广泛应用于微等离子体、薄层绝缘材料测试、微放电物理、基础生物预研等方向,适合高校实验室、科研院所、新材料研发企业开展低电压高频纳秒脉冲前沿基础研究。设备仅用于科研实验,不可直接用于人体临床医疗激励。
1. 低温微等离子体科研 适配小型DBD介质阻挡放电、微电晕放电,用于微等离子体发生机理、放电动力学研究;开展薄层材料表面活化、清洗、改性预实验;可用于臭氧生成、微量气体处理等小型环境预研实验。
2. 薄层绝缘材料性能测试 适用于高分子薄膜、涂层、超薄复合材料的纳秒瞬态耐压、脉冲击穿、脉冲老化测试,评估薄层介质在MHz高频纳秒电场下的失效机理,支撑绝缘新材料研发。
3. 微放电与脉冲物理基础研究 微间隙脉冲放电、脉冲电晕、静电雾化基础物理实验;光谱激励、小型脉冲光源预研;强电磁干扰效应基础研究。
4. 生物基础预研实验 低场纳秒脉冲细胞电穿孔、微生物灭活预实验;用于离体组织低强度脉冲电场探索,为更高电压生物脉冲实验做前期参数摸索。
5. 高校脉冲功率教学实验 作为电气工程、物理专业教学设备,搭建高频纳秒脉冲、微高压放电教学平台,参数调节简单,安全门槛更低,适合本科生、研究生创新实验。
11. 产品选型与定制扩展服务
11.1 标准型号选型
SHVP-02P:正极性2kV纳秒脉冲电源; SHVP-02N:负极性2kV纳秒脉冲电源。
11.2 非标定制
边沿指标优化、多机同步触发、脚踏启停、安全门联锁、定制高压输出接头;
11.3 配套服务
出厂波形检测、现场调试、实验技术培训、质保维护,协助搭建整套微等离子体/薄层绝缘脉冲测试系统方案。
12. 总结
SHVP-02 P(N) 2kV单极性脉冲电源,是世纪新天推出的小型化高频纳秒脉冲设备,P/N正负极性可选,0~2kV输出,上升沿≤10ns,最高支持1MHz高重复频率,内置低EMI波形整形电路。面向微DBD等离子体、薄层绝缘测试、微放电物理等低电压高频纳秒科研场景;整机小巧,标配RS485程控,内置完备高压保护,性价比突出。国产化替代进口2kV高频纳秒单极性脉冲发生器,为微等离子体、薄层绝缘材料、脉冲物理基础科研提供稳定可靠的实验平台。
附录A:术语与缩略词
ns:纳秒 kV:千伏 DBD:介质阻挡放电 TTL:晶体管-晶体管逻辑电平 SHV:高压同轴接头 Burst:脉冲串模式
附录B:企业信息
世纪新天(苏州)大数据科技有限公司 自主品牌:世纪新天 主营:SHVP系列高压脉冲电源、SHVM嵌入式高压脉冲模块 应用方向:等离子体激励、激光电光驱动、质谱仪器、半导体可靠性测试、生物医学脉冲实验、强电磁效应科研装备
